SK海力士公司今天宣布已开发并开始批量生产全球首款128层1Tb TLC(三层单元)4D NAND闪存,而这仅是在8个月之前才宣布推出96层4D NAND产品之后。
目前,128层1 Tb NAND芯片提供业界最高的垂直堆叠,拥有超过360亿个NAND单元,每个单元存储3个芯片。为实现这一目标,SK海力士应用创新技术,如“超均匀垂直蚀刻技术”,“高可靠性多层薄膜电池形成技术”和超快速低功耗电路设计,自行开发4D NAND技术。(来源:中关村在线)
https://www.leiphone.com/news/201907/GN7k8Ged4bSRxKqO.html
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